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Référence fabricant | ERO-S2PHF5110 |
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Numéro de pièce future | FT-ERO-S2PHF5110 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | ERO |
ERO-S2PHF5110 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
La résistance | 511 Ohms |
Tolérance | ±1% |
Puissance (Watts) | 0.25W, 1/4W |
Composition | Metal Film |
Caractéristiques | - |
Coéfficent de température | ±50ppm/°C |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | Axial |
Taille / Dimension | 0.067" Dia x 0.126" L (1.70mm x 3.20mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Nombre de terminaisons | 2 |
Taux d'échec | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ERO-S2PHF5110 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ERO-S2PHF5110-FT |
PF1262-390RF1
Riedon
PF1262-39KF1
Riedon
PF1262-39RF1
Riedon
PF1262-3K3F1
Riedon
PF1262-3K6F1
Riedon
PF1262-3K9F1
Riedon
PF1262-3KF1
Riedon
PF1262-3R3F1
Riedon
PF1262-3R6F1
Riedon
PF1262-3R9F1
Riedon
EX64-TQ64
Microsemi Corporation
A3P600-FGG256I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-1PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6LFTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C16E144A7N
Intel
5SEEBH40C4N
Intel
XC6VHX380T-2FF1923CES9945
Xilinx Inc.
XC5VLX110-1FF676I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2TQ100
Microsemi Corporation
5SGXMA3H3F35C2N
Intel