maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / W9864G6JT-6
Référence fabricant | W9864G6JT-6 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-W9864G6JT-6 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
W9864G6JT-6 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM |
Taille mémoire | 64Mb (4M x 16) |
Fréquence d'horloge | 166MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 5ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 3V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 54-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 54-TFBGA (8x8) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W9864G6JT-6 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | W9864G6JT-6-FT |
W29N02GVBIAA
Winbond Electronics
W29N01HVBINA
Winbond Electronics
W29N01HVBINF
Winbond Electronics
W29N02GVBIAF
Winbond Electronics
W29N02GWBIBA
Winbond Electronics
W29N02GZBIBA
Winbond Electronics
W29N04GVBIAA
Winbond Electronics
W29N04GVBIAF
Winbond Electronics
W29N04GWBIBA
Winbond Electronics
W29N04GZBIBA
Winbond Electronics
APA750-FG896A
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1CQC
Microchip Technology
EP4CE6F17C8
Intel
10AX027H2F35I2LG
Intel
A42MX09-PQG100I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190FF35C4N
Intel
5CEFA2M13C8N
Intel
EP4SGX110FF35C2XN
Intel