maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / W29N02GVBIAF
Référence fabricant | W29N02GVBIAF |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-W29N02GVBIAF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
W29N02GVBIAF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND (SLC) |
Taille mémoire | 2Gb (256M x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 25ns |
Temps d'accès | 25ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 63-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 63-VFBGA (9x11) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W29N02GVBIAF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | W29N02GVBIAF-FT |
W29GL064CB7A
Winbond Electronics
W949D2DBJX5I
Winbond Electronics
W94AD2KBJX5I
Winbond Electronics
W948D2FBJX5I
Winbond Electronics
W948D2FBJX5E
Winbond Electronics
W949D2DBJX5E
Winbond Electronics
W947D2HBJX5E
Winbond Electronics
W947D2HBJX5E TR
Winbond Electronics
W947D2HBJX5I
Winbond Electronics
W947D2HBJX5I TR
Winbond Electronics
XC4013XL-2HT144C
Xilinx Inc.
LFXP6E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-PQG100C
Microsemi Corporation
XC3S250E-5VQG100C
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQG208I
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208M
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC6E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-5MG132I
Lattice Semiconductor Corporation