maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / W632GU8AB-15
Référence fabricant | W632GU8AB-15 |
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Numéro de pièce future | FT-W632GU8AB-15 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
W632GU8AB-15 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR3 |
Taille mémoire | 2Gb (128M x 16) |
Fréquence d'horloge | 667MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 20ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.283V ~ 1.45V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 95°C (TC) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W632GU8AB-15 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | W632GU8AB-15-FT |
W25Q64CVZPJG
Winbond Electronics
W25Q64CVZPJG TR
Winbond Electronics
W25Q64CVZPJP
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W25Q64CVZPJP TR
Winbond Electronics
W25Q64FVSCA1
Winbond Electronics
W25Q64FVSCA2
Winbond Electronics
W25Q64FVSCB1
Winbond Electronics
W25Q64FVSH01
Winbond Electronics
W25Q64FVSH02
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W25Q64FVSH03
Winbond Electronics
XC3S1400A-4FG676I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-6BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F27I7N
Intel
EP3C80U484C7N
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5SGXMA4K2F35I2N
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XCV100-5BG256I
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XC2VP40-6FFG1148C
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XC4VFX20-10FF672C
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XC7K355T-1FF901I
Xilinx Inc.