maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / W25Q64CVZPJP TR
Référence fabricant | W25Q64CVZPJP TR |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-W25Q64CVZPJP TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SpiFlash® |
W25Q64CVZPJP TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 64Mb (8M x 8) |
Fréquence d'horloge | 80MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 50µs, 3ms |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI - Quad I/O |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-WDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | 8-WSON (6x5) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W25Q64CVZPJP TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | W25Q64CVZPJP TR-FT |
THGBMFG6C1LBAIL
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMFG7C1LBAIL
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMFG8C2LBAIL
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMGG9U4LBAIR
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMGT0U8LBAIG
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMHG6C1LBAU6
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMHG6C1LBAW6
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMHG7C2LBAIL
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMHG7C2LBAU7
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMHG7C2LBAW7
Toshiba Memory America, Inc.