maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / W25Q64CVZPJP TR
Référence fabricant | W25Q64CVZPJP TR |
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Numéro de pièce future | FT-W25Q64CVZPJP TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SpiFlash® |
W25Q64CVZPJP TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 64Mb (8M x 8) |
Fréquence d'horloge | 80MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 50µs, 3ms |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI - Quad I/O |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-WDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | 8-WSON (6x5) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W25Q64CVZPJP TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | W25Q64CVZPJP TR-FT |
THGBMFG6C1LBAIL
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMFG7C1LBAIL
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMFG8C2LBAIL
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMGG9U4LBAIR
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMGT0U8LBAIG
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMHG6C1LBAU6
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMHG6C1LBAW6
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMHG7C2LBAIL
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMHG7C2LBAU7
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMHG7C2LBAW7
Toshiba Memory America, Inc.
XC3S50A-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC3S1500-4FG676C
Xilinx Inc.
XC2VP70-6FF1517I
Xilinx Inc.
EPF10K200SFC672-3
Intel
EP4CGX150CF23I7
Intel
LFE2-12SE-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C5NES
Intel
10AX048E2F29I1SG
Intel
10AX016E3F27E1HG
Intel
EP20K60EFC324-2
Intel