maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / W632GG6AB-15
Référence fabricant | W632GG6AB-15 |
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Numéro de pièce future | FT-W632GG6AB-15 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
W632GG6AB-15 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR3 |
Taille mémoire | 2Gb (128M x 16) |
Fréquence d'horloge | 667MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 20ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.425V ~ 1.575V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 95°C (TC) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W632GG6AB-15 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | W632GG6AB-15-FT |
W25Q32FWSSIQ
Winbond Electronics
W25Q32FWSSIQ TR
Winbond Electronics
W25Q64CVSSJG
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W25Q64CVSSJG TR
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W25Q64CVSSJP
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W25Q64CVZPJG
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W25Q64CVZPJG TR
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W25Q64CVZPJP TR
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XCS20-3TQ144I
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