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VWM200-01P Image

IXYS VWM200-01P

Numéro de pièce MFG
VWM200-01P
quantité disponible
63400 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
IXYS
Brève description
- MOSFET 6N-CH 100V 210A V2
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
VWM200-01P.pdf
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VWM200-01P Caractéristiques

Référence fabricant VWM200-01P
Numéro de pièce future FT-VWM200-01P
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
VWM200-01P Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Caractéristique FET Standard
Drain à la tension source (Vdss) 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 210A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 2mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 430nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Puissance - Max -
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / caisse V2-PAK
Package d'appareils du fournisseur V2-PAK
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
VWM200-01P Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange VWM200-01P-FT

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