maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / LN100LA-G
Référence fabricant | LN100LA-G |
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Numéro de pièce future | FT-LN100LA-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
LN100LA-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | 2 N-Channel (Cascoded) |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3000 Ohm @ 2mA, 2.8V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.6V @ 10µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 25V |
Puissance - Max | 350mW |
Température de fonctionnement | -25°C ~ 125°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-VFLGA |
Package d'appareils du fournisseur | 6-LFGA (3x3) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LN100LA-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | LN100LA-G-FT |
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