maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / VUB120-16NO2
Référence fabricant | VUB120-16NO2 |
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Numéro de pièce future | FT-VUB120-16NO2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VUB120-16NO2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Three Phase (Braking) |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 1.6kV |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 188A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 2.7V @ 30A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500µA @ 1600V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | V2-PAK |
Package d'appareils du fournisseur | V2-PAK |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VUB120-16NO2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VUB120-16NO2-FT |
MSD50-18
Microsemi Corporation
MSD52-18
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MSD75-18
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MSDM100-08
Microsemi Corporation
MSDM100-18
Microsemi Corporation
MSDM150-08
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MSDM150-12
Microsemi Corporation
MSDM150-16
Microsemi Corporation
MSDM150-18
Microsemi Corporation
MSDM200-08
Microsemi Corporation
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
AGLN250V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
EP1C6F256C6
Intel
5SGSMD5K1F40C2L
Intel
EP4SGX290KF43I4N
Intel
EP3SL200F1152C3N
Intel
XC4VFX100-10FF1152C
Xilinx Inc.
XC7S25-1CSGA324Q
Xilinx Inc.
A42MX09-2TQG176
Microsemi Corporation
EP1S80F1508C5N
Intel