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Référence fabricant | VTVS58GSMF-HM3-08 |
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Numéro de pièce future | FT-VTVS58GSMF-HM3-08 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, TransZorb® |
VTVS58GSMF-HM3-08 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 57.6V |
Tension - Panne (Min) | 66.64V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 98V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 4.01A |
Puissance - Peak Pulse | 400W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | Automotive |
Capacité à fréquence | 245pF @ 1MHz |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-219AB (SMF) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VTVS58GSMF-HM3-08 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VTVS58GSMF-HM3-08-FT |
VTVS17GSMF-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VTVS17GSMF-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
VTVS19ASMF-HM3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VTVS19ASMF-HM3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
VTVS19ASMF-M3-08
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VTVS19GSMF-HM3-08
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VTVS19GSMF-HM3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
VTVS19GSMF-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VTVS19GSMF-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S100E-5TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-3TG100IR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
APA600-BGG456M
Microsemi Corporation
EPF10K50EFC484-3N
Intel
EP2C15AF256C8N
Intel
5AGXMA1D4F27C5N
Intel
EP2SGX30CF780C3
Intel
EP4CE115F29C9LN
Intel