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Référence fabricant | VTVS17GSMF-M3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-VTVS17GSMF-M3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TransZorb® |
VTVS17GSMF-M3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 16.9V |
Tension - Panne (Min) | 19.6V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 28V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 14.21A |
Puissance - Peak Pulse | 400W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | 606pF @ 1MHz |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-219AB (SMF) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VTVS17GSMF-M3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VTVS17GSMF-M3-18-FT |
VESD03A1B-HD1-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBUS051BD-HD1-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD05A1A-HD1-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD05A1B-HD1-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD05A1C-HD1-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD15A1-HD1-G4-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBUS051CD-HD1-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VCUT0505B-HD1-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VCUT07B1-HD1-G4-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD03A1C-HD1-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LAXP2-8E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S50AN-4FT256C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-4300E-5UWG81ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F484C4N
Intel
EP4CE22F17C9L
Intel
5SEEBF45I3L
Intel
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
M1A3P1000-1FGG144M
Microsemi Corporation
EPF10K10AQC208-3N
Intel