maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / VSSB410S-E3/52T
Référence fabricant | VSSB410S-E3/52T |
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Numéro de pièce future | FT-VSSB410S-E3/52T |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TMBS® |
VSSB410S-E3/52T Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1.9A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 770mV @ 4A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 250µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | 230pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AA, SMB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AA (SMB) |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VSSB410S-E3/52T Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VSSB410S-E3/52T-FT |
SS23SHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS23SHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS24SHE3J_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS24SHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS24SHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS25SHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS25SHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS25SHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS25SHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS26SHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
AGLN020V2-UCG81
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