maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / VSSAF5M6HM3/I
Référence fabricant | VSSAF5M6HM3/I |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-VSSAF5M6HM3/I |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, TMBS®, SlimSMA™ |
VSSAF5M6HM3/I Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 60V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 660mV @ 5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 350µA @ 60V |
Capacité @ Vr, F | 580pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-221AC, SMA Flat Leads |
Package d'appareils du fournisseur | DO-221AC (SlimSMA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VSSAF5M6HM3/I Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VSSAF5M6HM3/I-FT |
1N6677-1
Microsemi Corporation
1N6677UR-1
Microsemi Corporation
1N6761
Microsemi Corporation
1N6857-1
Microsemi Corporation
1N6857UR-1
Microsemi Corporation
1N6858-1
Microsemi Corporation
1N6858UR-1
Microsemi Corporation
1N6864
Microsemi Corporation
1T5G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1T7G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel