Référence fabricant | 1N6761 |
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Numéro de pièce future | FT-1N6761 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N6761 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 690mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | 70pF @ 5V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AL, DO-41, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-41 |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6761 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N6761-FT |
SR1504 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1504HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1504HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1504HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRT110 A1G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRT110 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRT110HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRT110HA1G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRT110HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRT115 A1G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel