Référence fabricant | 1N6761 |
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Numéro de pièce future | FT-1N6761 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N6761 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 690mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | 70pF @ 5V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AL, DO-41, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-41 |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6761 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N6761-FT |
SR1504 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1504HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1504HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1504HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRT110 A1G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRT110 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRT110HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRT110HA1G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRT110HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRT115 A1G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC4010XL-1TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-N3FG900C
Xilinx Inc.
A3P250-1VQG100I
Microsemi Corporation
A3PN250-Z1VQG100
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C8N
Intel
5SGXEA5K3F35C2N
Intel
XC5VLX110T-2FF1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35I3N
Intel
EP2AGX45DF29C6N
Intel