Référence fabricant | 1N6761 |
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Numéro de pièce future | FT-1N6761 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N6761 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 690mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | 70pF @ 5V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AL, DO-41, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-41 |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6761 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N6761-FT |
SR1504 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1504HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1504HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1504HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRT110 A1G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRT110 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRT110HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRT110HA1G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRT110HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRT115 A1G
Taiwan Semiconductor Corporation
XCS40XL-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC7A15T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE3000-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-1VQ100M
Microsemi Corporation
5SGSMD4K3F40I3N
Intel
5SGSED6N2F45C2N
Intel
EP2SGX90EF1152C3ES
Intel
LFE2M100SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB7D4F35C4N
Intel