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Référence fabricant | SRT110 A1G |
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Numéro de pièce future | FT-SRT110 A1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SRT110 A1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 800mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | T-18, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | TS-1 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SRT110 A1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SRT110 A1G-FT |
SFT15G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFT15GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFT15GHA1G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFT15GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFT16G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFT16G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFT16GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFT16GHA1G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFT16GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFT17G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel