maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / VSB20L45-M3/73
Référence fabricant | VSB20L45-M3/73 |
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Numéro de pièce future | FT-VSB20L45-M3/73 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TMBS® |
VSB20L45-M3/73 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 45V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 6.5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 580mV @ 20A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1.2mA @ 45V |
Capacité @ Vr, F | 2050pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | P600, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | P600 |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VSB20L45-M3/73 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VSB20L45-M3/73-FT |
BAV20W-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV20W-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV20W-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV20W-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV21W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV21W-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV21W-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV21W-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV21W-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSD2004W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel