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Référence fabricant | VS-VSKEU300/12PBF |
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Numéro de pièce future | FT-VS-VSKEU300/12PBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFRED® |
VS-VSKEU300/12PBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 375A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 2.23V @ 300A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 233ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 200µA @ 1200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | INT-A-PAK (2) |
Package d'appareils du fournisseur | INT-A-PAK |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-VSKEU300/12PBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-VSKEU300/12PBF-FT |
EGL41AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL41BHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL41BHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL41CHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL41CHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL41DHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL41DHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL41FHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL41FHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL41GHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel