maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / EGL41FHE3_A/H
Référence fabricant | EGL41FHE3_A/H |
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Numéro de pièce future | FT-EGL41FHE3_A/H |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® |
EGL41FHE3_A/H Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 300V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 300V |
Capacité @ Vr, F | 14pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-213AB, MELF (Glass) |
Package d'appareils du fournisseur | DO-213AB |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EGL41FHE3_A/H Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EGL41FHE3_A/H-FT |
BYG24GHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24JHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24JHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24JHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24JHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
JAN1N6642UB
Microsemi Corporation
JAN1N6642UBD
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A1020B-PQ100I
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XC7A200T-L1FB676I
Xilinx Inc.
A3PE1500-1PQG208
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AT40K20AL-1AQC
Microchip Technology
5SGXEA3K3F40I4N
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