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Référence fabricant | VS-VSKD600-20PBF |
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Numéro de pièce future | FT-VS-VSKD600-20PBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-VSKD600-20PBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 2000V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 300A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50mA @ 2000V |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | SUPER MAGN-A-PAK |
Package d'appareils du fournisseur | Super MAGN-A-PAK |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-VSKD600-20PBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-VSKD600-20PBF-FT |
DD81S14KHPSA1
Infineon Technologies
DD81S14KKHPSA1
Infineon Technologies
DSEE6-06CC
IXYS
HTZ270H48K
IXYS
MBR10100CS2-G1
Diodes Incorporated
MBR10100CS2TR-G1
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MBR10100CTF-G1
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MBR10150CTF-G1
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MBR10200CS2-E1
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XC7A75T-1FTG256C
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XC2S50E-6FTG256I
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XC3S1000-5FG676C
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A42MX36-PQG240M
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A3P125-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C10F256C8N
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5SGSMD6N3F45C4N
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A42MX16-FPQG160
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB1G4F35I5N
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