maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / VS-MBRD660CTTRR-M3
Référence fabricant | VS-MBRD660CTTRR-M3 |
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Numéro de pièce future | FT-VS-MBRD660CTTRR-M3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-MBRD660CTTRR-M3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 60V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 700mV @ 3A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 50V |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Package d'appareils du fournisseur | D-PAK (TO-252AA) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-MBRD660CTTRR-M3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-MBRD660CTTRR-M3-FT |
VS-6CWT04FNTRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
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