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Vishay Semiconductor Diodes Division VS-MBRD660CTTRR-M3
- Numéro de pièce MFG
- VS-MBRD660CTTRR-M3
- quantité disponible
- 31000 Pièces
- Prix de référence
- USD 0.23664
- Notre prix
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- Date d'expédition
- Nous pouvons expédier aujourd'hui
- fabricant
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Brève description
- - DIODE SCHOTTKY 60V 3A DPAK
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Diodes - Redresseurs - Matrices
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- VS-MBRD660CTTRR-M3.pdf
VS-MBRD660CTTRR-M3 Caractéristiques
| Référence fabricant | VS-MBRD660CTTRR-M3 |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-VS-MBRD660CTTRR-M3 |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | - |
| VS-MBRD660CTTRR-M3 Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Active |
| Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
| Type de diode | Schottky |
| Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 60V |
| Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 3A |
| Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 700mV @ 3A |
| La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Temps de récupération inverse (trr) | - |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 50V |
| Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Package d'appareils du fournisseur | D-PAK (TO-252AA) |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| VS-MBRD660CTTRR-M3 Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | VS-MBRD660CTTRR-M3-FT |
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