maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / SDURD1030CTTR
Référence fabricant | SDURD1030CTTR |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SDURD1030CTTR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SDURD1030CTTR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 300V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | - |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 30µA @ 300V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Package d'appareils du fournisseur | DPAK |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SDURD1030CTTR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SDURD1030CTTR-FT |
BAT6406WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAV 70W E6433
Infineon Technologies
BAV 99W H6327
Infineon Technologies
BAV 99W H6433
Infineon Technologies
BAV70WE6327BTSA1
Infineon Technologies
BAV70WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAV70WH6433XTMA1
Infineon Technologies
BAV99WB6327XT
Infineon Technologies
BAV99WE6327BTSA1
Infineon Technologies
BAV99WE6433BTMA1
Infineon Technologies
XA6SLX25-3FGG484Q
Xilinx Inc.
M1A3P250-2PQG208I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-1
Intel
10CL055YU484I7G
Intel
EP3SL50F484C4L
Intel
5SGXEA7N3F45I3LN
Intel
XA6SLX9-2CSG225Q
Xilinx Inc.
AGL125V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-7FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation