maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / BAV99WE6327BTSA1
Référence fabricant | BAV99WE6327BTSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BAV99WE6327BTSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAV99WE6327BTSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Series Connection |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 80V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 200mA (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 150mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 4ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 150nA @ 70V |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-70, SOT-323 |
Package d'appareils du fournisseur | PG-SOT323-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV99WE6327BTSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAV99WE6327BTSA1-FT |
MMBD1705
ON Semiconductor
MMBD1705A
ON Semiconductor
MMBD2835LT1
ON Semiconductor
MMBD2836LT1
ON Semiconductor
MMBD7000_D87Z
ON Semiconductor
RB425D-TP
Micro Commercial Co
RB495D-TP
Micro Commercial Co
SMBD 7000 E6433
Infineon Technologies
SMBD7000E6327HTSA1
Infineon Technologies
BAS21VD,135
Nexperia USA Inc.
XC7A75T-1FTG256C
Xilinx Inc.
XC2S50E-6FTG256I
Xilinx Inc.
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
A42MX36-PQG240M
Microsemi Corporation
A3P125-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C10F256C8N
Intel
5SGSMD6N3F45C4N
Intel
A42MX16-FPQG160
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB1G4F35I5N
Intel