maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MMBD1705
Référence fabricant | MMBD1705 |
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Numéro de pièce future | FT-MMBD1705 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MMBD1705 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Anode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 30V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 50mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 50mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 700ps |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50nA @ 20V |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBD1705 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MMBD1705-FT |
BAS4005E6327HTSA1
Infineon Technologies
BAS4005E6433HTMA1
Infineon Technologies
BAS4006E6433HTMA1
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BAS7004E6433HTMA1
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BAS7005E6433HTMA1
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BAS7006E6327HTSA1
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BAT1804E6327HTSA1
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BAT5405E6327HTSA1
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XC3S1000-4FG456C
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EPF10K50SFC484-3
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5SGXMA5N2F40I3N
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5SGSMD3E3H29C2N
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EP3SE110F1152C4N
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XC2V1500-4BG575I
Xilinx Inc.
5CEFA5U19C6N
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10AX090N2F40E1SG
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