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Référence fabricant | VS-MBRD330TR-M3 |
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Numéro de pièce future | FT-VS-MBRD330TR-M3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-MBRD330TR-M3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 30V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 600mV @ 3A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 200µA @ 20V |
Capacité @ Vr, F | 189pF @ 5V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Package d'appareils du fournisseur | D-PAK (TO-252AA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-MBRD330TR-M3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-MBRD330TR-M3-FT |
VS-8EWF04STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWF04STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWF06STR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWF06STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWF06STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWF10STR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWF10STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWF10STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWF12SLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWF12STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
EPF10K20TC144-3N
Intel
LFE2-20SE-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN250V5-ZCSG81
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Microsemi Corporation
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10AX032H4F35E3SG
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10AX090R1F40E1SG
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