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Référence fabricant | VS-8EWF10STR-M3 |
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Numéro de pièce future | FT-VS-8EWF10STR-M3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-8EWF10STR-M3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1000V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 8A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 270ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 1000V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Package d'appareils du fournisseur | D-PAK (TO-252AA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-8EWF10STR-M3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-8EWF10STR-M3-FT |
SDURD1060CTTR
SMC Diode Solutions
SDURD1560TR
SMC Diode Solutions
SDURD520TR
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SDURD820TR
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VS-12EWH06FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12EWH06FNTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12EWH06FNTRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7S25-1FTGB196C
Xilinx Inc.
APA075-PQ208I
Microsemi Corporation
EP2S60F484I4N
Intel
10M25SAE144C8G
Intel
XC4008E-1PC84C
Xilinx Inc.
XC7VX980T-1FFG1930I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQG100
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-1300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2SG
Intel
EPF10K30ABC356-4
Intel