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Référence fabricant | VS-MBR20100CT-M3 |
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Numéro de pièce future | FT-VS-MBR20100CT-M3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-MBR20100CT-M3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 950mV @ 20A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 100V |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-MBR20100CT-M3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-MBR20100CT-M3-FT |
VS-MUR1020CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA30TA60C-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-16CTU04-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30100C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT10200C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP16JT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20100C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30150C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA08TA60C-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTQ060PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
XA2S100E-6TQ144Q
Xilinx Inc.
XCS20XL-4TQ144C
Xilinx Inc.
XC3S1400A-5FGG676C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-1FGG484I
Microsemi Corporation
A40MX02-2PL68
Microsemi Corporation
10M16SCU169A7G
Intel
10AX027H4F35I3LG
Intel
A42MX09-1PQ100
Microsemi Corporation
10AX057K3F40I2SG
Intel
EP3SE80F780C2
Intel