maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / V30100C-M3/4W
Référence fabricant | V30100C-M3/4W |
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Numéro de pièce future | FT-V30100C-M3/4W |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, TMBS® |
V30100C-M3/4W Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 15A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 800mV @ 15A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500µA @ 100V |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V30100C-M3/4W Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | V30100C-M3/4W-FT |
VS-40L45CW-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-52CPQ030-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-72CPQ030-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-80CPQ020-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-80CPQ150-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR3035WT-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR3045WT-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR4045WT-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR4060WT-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR40L15CW-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2V80-5FGG256C
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-3FFG484C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
AFS250-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-1PQG208
Microsemi Corporation
EP3CLS70U484C8N
Intel
5SGSMD4K3F40I3L
Intel
EP2AGX65DF25C4G
Intel
EP3SE260F1152I4N
Intel
EP2AGX95EF35C6N
Intel