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Référence fabricant | VS-HFA04TB60-M3 |
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Numéro de pièce future | FT-VS-HFA04TB60-M3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFRED® |
VS-HFA04TB60-M3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 4A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 2.2V @ 8A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 42ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 3µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AC |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-HFA04TB60-M3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-HFA04TB60-M3-FT |
BAQ333-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAQ334-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAQ335-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS381-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS381-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS382-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS382-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS383-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS383-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS386-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel