maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / BAS382-TR
Référence fabricant | BAS382-TR |
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Numéro de pièce future | FT-BAS382-TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
BAS382-TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 50V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 30mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 15mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 200nA @ 50V |
Capacité @ Vr, F | 1.6pF @ 1V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 2-SMD, No Lead |
Package d'appareils du fournisseur | MicroMELF |
Température de fonctionnement - Jonction | 125°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS382-TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAS382-TR-FT |
MPG06MHE3_A/53
Vishay Semiconductor Diodes Division
MPG06MHE3_A/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
MPG06MHE3_A/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
MPG06AHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
MPG06BHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
MPG06BHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
MPG06DHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
MPG06DHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
MPG06GHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
MPG06GHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-1200ZE-3TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FG320C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FGG456C
Xilinx Inc.
A1010B-2PL68I
Microsemi Corporation
5SGXMA3K2F40I3N
Intel
5SEEBF45I3N
Intel
5SGXEA5K3F35I3N
Intel
XC4013XL-1BG256I
Xilinx Inc.
XC4VFX60-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation