maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / VS-8TQ100STRRHM3
Référence fabricant | VS-8TQ100STRRHM3 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-VS-8TQ100STRRHM3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
VS-8TQ100STRRHM3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 720mV @ 8A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 550µA @ 80V |
Capacité @ Vr, F | 500pF @ 5V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263 (D2Pak) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-8TQ100STRRHM3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-8TQ100STRRHM3-FT |
VS-25ETS10STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25ETS10STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25ETS12S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25ETS12SLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25ETS12STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25ETS12STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA04TB60S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA04TB60SL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA04TB60SR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA06TB120SL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel