maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / VS-HFA04TB60SR-M3
Référence fabricant | VS-HFA04TB60SR-M3 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-VS-HFA04TB60SR-M3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFRED® |
VS-HFA04TB60SR-M3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 4A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 2.2V @ 8A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 42ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 3µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB (D²PAK) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-HFA04TB60SR-M3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-HFA04TB60SR-M3-FT |
VS-8ETU04STRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETX06S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETX06STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETX06STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETH1506SHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETH1506STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETH1506STRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETH1506STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETH1506STRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETH3006SHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F484C6N
Intel
EP20K30EFC144-3
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC4010XL-3BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel