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Référence fabricant | VS-8TQ100STRR-M3 |
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Numéro de pièce future | FT-VS-8TQ100STRR-M3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-8TQ100STRR-M3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 720mV @ 8A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 550µA @ 80V |
Capacité @ Vr, F | 500pF @ 5V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263 (D2Pak) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-8TQ100STRR-M3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-8TQ100STRR-M3-FT |
VS-25ETS10S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25ETS10STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25ETS10STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25ETS12S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25ETS12SLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25ETS12STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25ETS12STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA04TB60S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA04TB60SL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA04TB60SR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
AGL030V2-QNG68I
Microsemi Corporation
LFXP3C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP20-7FGG676C
Xilinx Inc.
5CGXBC4C7F27C8N
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
5SGXMA4H3F35I3N
Intel
A40MX02-2PLG44I
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H4F34I3SG
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Intel