maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / VS-6DKH02-M3/H
Référence fabricant | VS-6DKH02-M3/H |
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Numéro de pièce future | FT-VS-6DKH02-M3/H |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | FRED Pt® |
VS-6DKH02-M3/H Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 2 Independent |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 940mV @ 3A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 25ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 2µA @ 200V |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-PowerTDFN |
Package d'appareils du fournisseur | FlatPAK 5x6 (Dual) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-6DKH02-M3/H Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-6DKH02-M3/H-FT |
VFT10200C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VFT1045-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VFT1045C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VFT1045CBP-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VFT1060C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VFT1060C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VFT1080C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VFT1080C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VFT2045C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VFT2045CBP-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-1200ZE-1TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4005E-4PQ208I
Xilinx Inc.
M2GL090-1FCSG325I
Microsemi Corporation
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2PQG208
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE75F23I7
Intel
EP2SGX60EF1152I4N
Intel
A3P250-1FGG144T
Microsemi Corporation
EP1AGX35DF780C6N
Intel