maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / VFT1045-M3/4W
Référence fabricant | VFT1045-M3/4W |
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Numéro de pièce future | FT-VFT1045-M3/4W |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TMBS® |
VFT1045-M3/4W Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 45V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 580mV @ 5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500µA @ 45V |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Package d'appareils du fournisseur | ITO-220AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VFT1045-M3/4W Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VFT1045-M3/4W-FT |
BAV70-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV70-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV70-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV99-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV99-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV99-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV99-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV99-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV99-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAW56-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFEC1E-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCS30XL-4PQ208I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3FG484I
Xilinx Inc.
A3P030-1QNG48
Microsemi Corporation
A3P1000-1FG256T
Microsemi Corporation
EP1S25F672C6
Intel
5SGXMA5K3F35C3N
Intel
10AX016E3F27I2LG
Intel
10AX016E3F27E1SG
Intel
EPF8636AQC160-2
Intel