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Référence fabricant | VS-60APF06-M3 |
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Numéro de pièce future | FT-VS-60APF06-M3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-60APF06-M3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 60A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 60A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 180ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247AC |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-60APF06-M3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-60APF06-M3-FT |
VS-8EWF12STRLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWF12STRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWF12STRRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWS08SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWS08STRLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWS08STRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWS08STRRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWS10SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWS10STRLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWS10STRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S400A-4FG400I
Xilinx Inc.
A3PE600-FG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208A
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1DQI
Microchip Technology
EP1K30FC256-2N
Intel
EP4CE6E22C8
Intel
5SGXMA3K2F35C2N
Intel
XC5VSX50T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX115R3F40I2SG
Intel