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Référence fabricant | VS-8EWS10STRPBF |
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Numéro de pièce future | FT-VS-8EWS10STRPBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-8EWS10STRPBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1000V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 8A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50µA @ 1000V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Package d'appareils du fournisseur | D-PAK (TO-252AA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-8EWS10STRPBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-8EWS10STRPBF-FT |
8EWS10S
Vishay Semiconductor Diodes Division
8EWS10STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
8EWS12S
Vishay Semiconductor Diodes Division
8EWS12STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
8EWS16S
Vishay Semiconductor Diodes Division
8EWS16STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA04SD60S
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA04SD60STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA04SD60STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA08SD60S
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-7000ZE-1TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16A-1FG144
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1FG484I
Microsemi Corporation
APA750-PQ208
Microsemi Corporation
EP3CLS70F484I7
Intel
10M08DAF484C7G
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EP4SE530H40I3
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XCV100-5BG256C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C5N
Intel