maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / VS-4ECH06-M3/9AT
Référence fabricant | VS-4ECH06-M3/9AT |
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Numéro de pièce future | FT-VS-4ECH06-M3/9AT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | FRED Pt® |
VS-4ECH06-M3/9AT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 4A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.85V @ 4A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 22ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 3µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AB, SMC |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AB (SMC) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-4ECH06-M3/9AT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-4ECH06-M3/9AT-FT |
S3BHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3D-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3D-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3D-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3DHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3DHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3G-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3G-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3GHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3J-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-PQ100I
Microsemi Corporation
XC7A200T-L1FB676I
Xilinx Inc.
A3PE1500-1PQG208
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1AQC
Microchip Technology
5SGXEA3K3F40I4N
Intel
5SGXMA3K2F40I2LN
Intel
5CGXBC3B6F23C7N
Intel
10AX057N2F40E2LG
Intel
EPF6024AQC208-1
Intel
EP2A40F1020I8
Intel