maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / S3DHE3_A/I
Référence fabricant | S3DHE3_A/I |
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Numéro de pièce future | FT-S3DHE3_A/I |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
S3DHE3_A/I Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.15V @ 2.5A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 2.5µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AB, SMC |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AB (SMC) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S3DHE3_A/I Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S3DHE3_A/I-FT |
S3D-E3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5M-E3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3DHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3F-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3J-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3K-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3G-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3GHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3J-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3MHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX08A-1TQG144I
Microsemi Corporation
LFE2-12E-6T144I
Lattice Semiconductor Corporation
EX128-TQ100A
Microsemi Corporation
XCKU5P-2FFVB676E
Xilinx Inc.
XC7S100-1FGGA676C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP1K100FC256-1
Intel
XC7K70T-1FBG484I
Xilinx Inc.
LFX200B-04F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-4MG132CR1
Lattice Semiconductor Corporation