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Référence fabricant | VS-40HFR60M |
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Numéro de pièce future | FT-VS-40HFR60M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-40HFR60M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard, Reverse Polarity |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 40A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 125A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | - |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Chassis, Stud Mount |
Paquet / caisse | DO-203AB, DO-5, Stud |
Package d'appareils du fournisseur | DO-203AB (DO-5) |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 190°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-40HFR60M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-40HFR60M-FT |
MUR405GP-TP
Micro Commercial Co
MUR4100GP-TP
Micro Commercial Co
MUR410GP-TP
Micro Commercial Co
MUR415GP-TP
Micro Commercial Co
MUR420GP-TP
Micro Commercial Co
MUR440GP-TP
Micro Commercial Co
MUR460GP-TP
Micro Commercial Co
MUR480GP-TP
Micro Commercial Co
NRVHPRS1MFA
ON Semiconductor
RA201236XX
Powerex Inc.
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel