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Référence fabricant | MUR415GP-TP |
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Numéro de pièce future | FT-MUR415GP-TP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MUR415GP-TP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 150V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 4A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 4A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 45ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 150V |
Capacité @ Vr, F | 80pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-201AD, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-201AD |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUR415GP-TP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MUR415GP-TP-FT |
1N5402GP-TP
Micro Commercial Co
1N5404GP-TP
Micro Commercial Co
1N5406GP-TP
Micro Commercial Co
1N5407GP-TP
Micro Commercial Co
1N6642UB2
Microsemi Corporation
1N6642UB2R
Microsemi Corporation
1N6642UBCA
Microsemi Corporation
1N6642UBCC
Microsemi Corporation
BYS11-90HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS11-90HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4010XL-1TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-N3FG900C
Xilinx Inc.
A3P250-1VQG100I
Microsemi Corporation
A3PN250-Z1VQG100
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C8N
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5SGXEA5K3F35C2N
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XC5VLX110T-2FF1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35I3N
Intel
EP2AGX45DF29C6N
Intel