maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / BYS11-90HE3_A/H
Référence fabricant | BYS11-90HE3_A/H |
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Numéro de pièce future | FT-BYS11-90HE3_A/H |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q100 |
BYS11-90HE3_A/H Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 90V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1.5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 750mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 90V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AC (SMA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYS11-90HE3_A/H Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BYS11-90HE3_A/H-FT |
1N5809US.TR
Semtech Corporation
1N5811
Semtech Corporation
APD260VDTR-E1
Diodes Incorporated
B0540WS-TP
Micro Commercial Co
B5817W-TP
Micro Commercial Co
BAT1502LSE6433XTMA1
Infineon Technologies
BAT2402ELSE6327XTSA1
Infineon Technologies
CD123D-B120R
Bourns Inc.
CD214C-F3150
Bourns Inc.
CMS10I30A(TE12L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO2-1200HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200-5VQ100C
Xilinx Inc.
10M04SAU169C8G
Intel
10AX027H4F35E3LG
Intel
10M50SAE144I7G
Intel
XC6SLX4-2CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-2CSG324I
Xilinx Inc.
ICE40LM2K-CM49TR1K
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EP3SL50F780C4L
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EPF10K50EQC208-1N
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