maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / VS-32CTQ030STRRPBF
Référence fabricant | VS-32CTQ030STRRPBF |
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Numéro de pièce future | FT-VS-32CTQ030STRRPBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-32CTQ030STRRPBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 30V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 15A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 490mV @ 15A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1.75mA @ 30V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-32CTQ030STRRPBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-32CTQ030STRRPBF-FT |
UGB18ACTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB18BCT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB18BCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB18BCTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB18CCT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB18CCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB18CCTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB18DCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB18DCT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB18DCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFE2-6E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-5FG256C
Xilinx Inc.
EP4CE15F23C7
Intel
5SGXMA7N3F40I4N
Intel
5SGXEABK2H40C2L
Intel
XC4VFX20-10FFG672I
Xilinx Inc.
LCMXO3L-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP384-CM81TR
Lattice Semiconductor Corporation
EP3CLS70F780C8
Intel
10AX048E2F29I1SG
Intel