maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / VS-30CTQ100S-M3
Référence fabricant | VS-30CTQ100S-M3 |
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Numéro de pièce future | FT-VS-30CTQ100S-M3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-30CTQ100S-M3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 15A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 860mV @ 15A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 550µA @ 100V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-30CTQ100S-M3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-30CTQ100S-M3-FT |
VS-MURB1020CTRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB1620CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB1620CTHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB1620CTL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB1620CTLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB1620CTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB1620CTRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB2020CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB2020CTHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB2020CTL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
AT40K40LV-3BQC
Microchip Technology
A1225A-PQG100I
Microsemi Corporation
XC2V1000-5FG256I
Xilinx Inc.
APA600-FG256
Microsemi Corporation
EP1S25B672C7N
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EP1S20F484C6N
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EP4SGX290FH29C3N
Intel
XC2VP7-5FF672C
Xilinx Inc.
A40MX04-3PLG84
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LFE2M35SE-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation