maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / VS-MURB1620CTRHM3
Référence fabricant | VS-MURB1620CTRHM3 |
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Numéro de pièce future | FT-VS-MURB1620CTRHM3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, FRED Pt® |
VS-MURB1620CTRHM3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 975mV @ 8A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 20ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 250µA @ 200V |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-MURB1620CTRHM3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-MURB1620CTRHM3-FT |
VB30202C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30M120C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30M120C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB40100C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB40100C-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB40100G-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB40100G-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB40120C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB40120C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB40120C-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
EX128-TQ64I
Microsemi Corporation
XC2S50-5FGG256C
Xilinx Inc.
XA3S1600E-4FGG484I
Xilinx Inc.
AX1000-FGG484M
Microsemi Corporation
XC7A25T-L1CPG238I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6U19C6N
Intel
5CGXFC7C7U19C8N
Intel
10AX057N2F40E2SG
Intel
EP20K1000CB652C7N
Intel
EPF10K50SQC208-3
Intel