maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / VS-30CTQ080GSTRLP
Référence fabricant | VS-30CTQ080GSTRLP |
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Numéro de pièce future | FT-VS-30CTQ080GSTRLP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
VS-30CTQ080GSTRLP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 80V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 15A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.05V @ 30A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 280µA @ 80V |
Température de fonctionnement - Jonction | 175°C (Max) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-30CTQ080GSTRLP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-30CTQ080GSTRLP-FT |
UGB10DCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB10DCTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB10FCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB10FCT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB10FCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB10FCTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB10GCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB10GCT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB10GCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB10GCTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-1200ZE-2TG100IR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S500E-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4044XL-3HQ304I
Xilinx Inc.
A42MX16-VQ100M
Microsemi Corporation
EP3C10F256C6
Intel
5SGXMA7H3F35C2LN
Intel
XC7VX415T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-3FFG784C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-7LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFD3H3F35I3N
Intel