maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / UGB10DCTHE3/45
Référence fabricant | UGB10DCTHE3/45 |
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Numéro de pièce future | FT-UGB10DCTHE3/45 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
UGB10DCTHE3/45 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 25ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 200V |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UGB10DCTHE3/45 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | UGB10DCTHE3/45-FT |
MBRB25H45CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H50CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H60CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H60CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB3035CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB3035CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB3035CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB3035CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB3045CT
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB3045CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFEC1E-4T100I
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XCS30XL-4PQ208I
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XC6SLX25-3FG484I
Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
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