maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / VS-30CTQ080GSPBF
Référence fabricant | VS-30CTQ080GSPBF |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-VS-30CTQ080GSPBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
VS-30CTQ080GSPBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 80V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 15A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.05V @ 30A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 280µA @ 80V |
Température de fonctionnement - Jonction | 175°C (Max) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-30CTQ080GSPBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-30CTQ080GSPBF-FT |
UGB10DCT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB10DCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB10DCTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB10FCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB10FCT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB10FCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB10FCTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB10GCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB10GCT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB10GCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
XA2S100E-6TQ144Q
Xilinx Inc.
XCS20XL-4TQ144C
Xilinx Inc.
XC3S1400A-5FGG676C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-1FGG484I
Microsemi Corporation
A40MX02-2PL68
Microsemi Corporation
10M16SCU169A7G
Intel
10AX027H4F35I3LG
Intel
A42MX09-1PQ100
Microsemi Corporation
10AX057K3F40I2SG
Intel
EP3SE80F780C2
Intel