maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / VS-30CTQ080G-1PBF
Référence fabricant | VS-30CTQ080G-1PBF |
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Numéro de pièce future | FT-VS-30CTQ080G-1PBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
VS-30CTQ080G-1PBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 80V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 15A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.05V @ 30A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 280µA @ 80V |
Température de fonctionnement - Jonction | 175°C (Max) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Package d'appareils du fournisseur | TO-262-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-30CTQ080G-1PBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-30CTQ080G-1PBF-FT |
VI30M120C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI40100C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI40100G-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI40100G-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI40120C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI40150C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI40150C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI40M120C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VIT10200C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VIT10202C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S1400A-4FGG676C
Xilinx Inc.
AGLN060V2-CSG81
Microsemi Corporation
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
5SGXEA7H3F35I3LN
Intel
EP4SE820H35C3N
Intel
XC5VLX110-2FFG1153I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FFG896I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
EP1S20F780C5N
Intel
EP1S30F780C5N
Intel