maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / VS-30CTH02STRRPBF
Référence fabricant | VS-30CTH02STRRPBF |
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Numéro de pièce future | FT-VS-30CTH02STRRPBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | FRED Pt® |
VS-30CTH02STRRPBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 15A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.05V @ 15A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 30ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 200V |
Température de fonctionnement - Jonction | 175°C (Max) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-30CTH02STRRPBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-30CTH02STRRPBF-FT |
UB30DCT-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB10BCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB10BCT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB10BCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB10BCTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB10CCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB10CCT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB10CCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB10CCTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB10DCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
LCMXO256E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG484
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP1K50FC484-2
Intel
EP3SE80F1152C4L
Intel
EP4SE820H35I3N
Intel
XC7VX415T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6M13C7N
Intel