maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / UGB10CCT-E3/45
Référence fabricant | UGB10CCT-E3/45 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-UGB10CCT-E3/45 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
UGB10CCT-E3/45 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 150V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 25ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 150V |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UGB10CCT-E3/45 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | UGB10CCT-E3/45-FT |
MBRB2560CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB2560CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H35CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H35CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H35CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H45CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H45CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H50CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H60CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H60CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFECP6E-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S15F484I4N
Intel
5CEBA2F17C7N
Intel
XC7K70T-3FBG484E
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB7H4F35I5
Intel
EP4CE115F29I7N
Intel
EP3SL70F780C4
Intel
10AX032E1F27I1HG
Intel
EP20K200EQI208-3
Intel